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技術文章
TECHNICAL ARTICLES半導體憑借對導體與絕緣體特性的精準切換，實現電流的智能化控制。當前主流半導體材料均具備四價原子結構，能夠在晶格內部構建可調控的電子流動路徑，為集成電路、晶體管、二極管等核心器件提供功能支撐，構成了整個信息產業的底層技術架構。三大主流半導體材料特性與分布硅（Si）：作為最主要的半導體材料來源，硅廣泛存在于石英巖、硅砂礦床，儲量極為豐富，其提純和結晶工藝也已十分成熟。自20世紀50年代起，硅便成為半導體芯片的首*材料。得益于易提取、純化及結晶的特性，加之較高的熔點（相較于鍺）使其...
為確保金屬結構特性的正確表達，樣品必須正確制備。下面的步驟是對這一過程的一般介紹，但是金相制備方法應根據材料而定。步驟1：切割用于微觀結構分析的工件采用濕磨料切割工藝從工件上取一個有代表性的樣品。選擇的切割工藝應確保樣品不會受到任何改變結構的損壞，并應適合材料和應用。圖7：帶有夾緊齒輪的濕磨料切割機，用于從齒輪的齒截面取樣。通常，該截面部分將進行感應硬化或表面硬化。樣品將用于檢測截面的結構和硬度。步驟2：鑲嵌用于微觀結構分析的樣品鑲樣過程用于固定切割件以使其更容易處理，同時用...
金屬的內部結構是由稱為“晶粒”的單個晶體區域組成的。這些晶粒的結構、尺寸和方向取決于材料的成分（合金）和材料的制造方法（如鍛造、鑄造或增材制造）。這些晶粒是在熔融物質凝固、與其他物質和其他成分（如相和污染物）相互作用時形成的。通常，晶粒結構要調整為適合技術應用。晶粒的尺寸、方向和其他結構特性直接關系到這些材料的機械和技術性能。結構特性還取決于后續的外部影響。這些影響包括：化學影響（如腐蝕）化學和/或物理影響（如熱處理工藝）機械影響（如成形過程后的鍛造、軋制、彎曲等）微觀結構圖...
在納米級精密制造蓬勃發展的時代，3D光學輪廓儀已成為精密檢測領域的核心技術裝備。這臺搭載白光干涉與多波長干涉雙引擎的精密儀器，在材料科學實驗室和半導體產線中，每秒可產生數萬組包含相位、光強、梯度等多維特征的測量數據。如何從這些海量數據中提取有價值的信息，成為制約檢測效率的瓶頸。數據預處理是構建3D形貌圖的基石。原始干涉條紋數據需經過去噪聲處理，通過小波變換分解信號后，可有效分離高頻噪聲與低頻形貌特征。波前校正是消除光學系統自身像差的關鍵步驟，基于Zernike多項式擬合算法可...
Sensofar非接觸式粗糙度測量儀（如Sneox系列）采用光譜共焦技術，通過垂直入射光束與被測表面反射信號的相位差實現亞納米級精度測量，避免了傳統觸針式設備對表面的劃傷風險。其操作流程涵蓋環境準備、參數配置、數據采集與結果驗證四大核心環節，以下為標準化操作規范。一、環境與設備預檢操作前需確保環境滿足技術要求：溫度20±2℃、濕度40%-60%，避免強光直射與空氣擾動。啟動設備前需完成三重檢查：1.光學組件：檢查物鏡透鏡組是否存在指紋或灰塵污染，使用無塵布蘸取9...
SensoPro是提高效率和確保高質量生產的最佳軟件。我們將演示如何使用SensoPro改進制造過程。工業化是制造過程中的重要一步。SensoPro是通過自動分析表面形態，將開發線和生產連接起來，將成本降到最*，提高收益性的軟件解決方案。SensoPro使下載多個記錄變得容易。例如，可能有一組形狀與組件表面不匹配和一組形狀與組件的表面匹配。然后，您可以計算和放置SensoPro參數，并找到更好地分離這兩個數據集的參數。另外，分析軟件可以使用多個測量程序，可以對不同的參數使用相...
深圳市富田區最近正式任命了70名“AI公務員”。這標志著政府部門進入了“硅基同事”與人合作的新時代。這項改革基于DeepSeek2.0模型，將240個政府場景分解為標準化模塊，并在專用混合架構中實現“跨”式智能組合。正式文件格式更正準確率95%以上，各部門分工效率80%以上。然而這場“靜悄悄的革命”背后，是百億級晶體管密度的AI芯片在支撐——幾納米工藝的芯片上，會導致系統崩潰，傳統光學顯微鏡已經成為視力受損地區致命的渦輪。當人工智能公務員以僅為人力成本五十分之一的成本不間斷地...
白光干涉儀作為光學測量領域的重要工具，其光譜干涉模式基于光的干涉原理與光譜分析技術，實現了對物體表面形貌、薄膜厚度等參數的高精度測量。該模式利用白光作為光源，通過特殊的分光與干涉機制，將光學測量精度提升至納米級。一、光譜干涉模式的基本原理白光干涉儀的光譜干涉模式基于多色光干涉特性。白光作為復合光源，包含連續光譜成分。當其經過擴束準直后，通過分光棱鏡被分成兩束相干光：一束光經被測表面反射，另一束光經參考鏡反射。兩束反射光最終匯聚并發生干涉，在CCD相機感光面形成明暗相間的干涉條...